軟啟動器內部的功率損耗由晶閘管功率損耗、控制電路功率損耗兩部分組成，對于低壓軟起動器，控制電路功率損耗變動不大，一般為數十瓦。

     因此，軟起動器內部的功率損耗主要由晶閘管功率損耗產生，粗略估算為：每1KVA的軟起動器容量，產生的損耗功率為3-5W。

     當軟啟動器的容量較大時，由晶閘管功率損耗產生的熱量將使管芯溫度迅速升高，后導致晶閘管燒毀。所以，必 須采取措施將軟啟動器所產生的熱量充分散發出去。

     由于軟起動內部的損耗主要由晶閘管產生，并且晶閘管的熱容量比較小，所以軟起動器本身對溫升的要求取決于晶閘管對溫升的要求。一般晶閘管的結溫要求不得高于120℃，反映到散熱器上的溫度一般不能高于75℃。

因此，必 須使用風冷散熱器把軟啟動器的熱量散發到外部的空氣中，確保散熱的途徑不被堵塞，才能保證把軟啟動器的熱量散下來。